LK-AMPD-S високоскоростен усилен микровълнов InGaAs фотодетектор
- Висока скорост, широка честотна лента
- Incorporated Bias-T
- O/E хибриден интегриран
- Високо усилване, нисък шум, широколентов достъп
- Херметически затворен, SMA конектор
- Нисък тъмен ток, високо съотношение сигнал/шум.
- Малък форм фактор.
Описание на продукта
LK-AMPD-S е хибрид на InGaAs фотодиод и усилвател с нисък шум, проектиран за широк оптичен отговор от 1000 до 1650nm и предлагащ 15 dB RF усилване. Той осигурява високоскоростна производителност с честотни ленти от 12GHz и 18GHz и се захранва от +5V захранване.
Този модул е съвместим със стандартно едномодово влакно 9/125 μm и има SMA конектор със съвпадение на импеданса от 50 ома.
LK-AMPD-S е херметически затворен за опазване на околната среда и има лек дизайн, с маса под 23 грама. Той е в съответствие с Директива 2.0 за ограничаване на опасните вещества (RoHS), като гарантира екологична устойчивост и спазване на строги стандарти за безопасност.
Технически спецификации
| Типичен и абсолютен максимален рейтинг | ||||
|---|---|---|---|---|
| Параметър | Сим. | Тип | оценка | Единица |
| Диапазон на температура на съхранение | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| Температурен диапазон на работния корпус | TC | 25 | -40 ~ +85 | ℃ |
| Напрежение на отклонение | VR | +5 | +5 ~ +9 | V |
| Оптична входна мощност | щифт | 0 | +10 | стока |
| Изгаряща оптична мощност | PB | - | +13 | стока |
| Температура на запояване на олово | Tp | 280(10s) | 330(10s) | ℃ |
| Електрически/оптични характеристики ( TC = 22 ± 3 ℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Параметър | сим | Тестово състояние | Стойности на параметрите | Единица | ||
| Диапазон на дължината на вълната | λ | - | 1000 ~ 1650 | nm | ||
| Честотен обхват | - | - | X - лента | Ку - група | - | |
| Малка честотна лента на сигнала | f-3dB | TC = 22 ± 3 ℃ | 0 ~ 3 | 0 ~ 8 | GHz | |
| Отговорност | Re | VR =+5V, Pin =10mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| Равност на амплитудата | A | TC =-45~+85 ℃ | ≤ ± 2 | dB | ||
| Оптична мощност на насищане | Ps | VR =+ 5 V, λ = 1550 nm AC модулиран |
10 | стока | ||
| Усилване на RF сигнал (типично) | G | - | 15 ± 1 | dB | ||
| Изходна RF мощност на насищане | Pот | - | +3 | стока | ||
| Изход VSWR | VSWR | - | ≤ 2 | - | ||
| Изходен импеданс | RL | - | 50 | Ω | ||
● Типични криви на реакция

( Фиг. 1 X - честотна характеристика на фотодетектора)

( Фиг. 2 Ku - честотна характеристика на фотодетектор)
●Размери и щифтове (Единица: мм [инч])

RF конектор: SMA
●Информация за поръчка
Лист 1:
| код | Усилване на RF сигнала | Забележка |
| S | 15 dB | Типична и централна честота |
Лист 2:
| код | Аналогова честотна лента |
| X | 0 ~ 3 GHz |
| Ku | 0 ~ 8 GHz |
Лист 3:
| код | Connector Type | Забележка |
| N | Няма конектор | Едномодов 9 / 125 μm фибър пигтейл |
| A | FC / APC | |
| P | FC / PC |

● Предпазни мерки
Радиусът на огъване на влакното е не по-малък от 20 mm, за да се избегне повреда на влакното.
Уверете се, че фасетът на свързване на влакна е чист, преди да го свържете към оптична верига.
Необходима е подходяща ESD защита при съхранение, транспортиране и използване.

Всички наши стандартни фотодетектори могат да бъдат персонализирани в модули!
Приложения
Обработка на радарна информация
Електронна война
Измерване на антената
Оптични комуникации
Сигурност и наблюдение

EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU






